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Dettagli:
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Materiale: | Nitruro di silicio Si3n4 | Dimensione: | su misura |
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Colore: | Nero | Caratteristiche: | alta durezza; alta resistenza della corrosione; densità bassa; stabilità in una vasta gamma di tempe |
Evidenziare: | Ceramica del nitruro di silicio Si3N4,ceramica del nitruro di silicio 3.3g/cm3,nitruro di silicio 3.3g/cm3 Si3N4 |
Nitruri di silicio (si3N4) caratterizzi una combinazione eccellente di proprietà materiali. Sono quasi leggere quanto il carburo di silicio (sic), ma la loro microstruttura dà loro la resistenza di shock termico eccellente e la loro alta durezza di frattura le rende resistenti agli impatti ed alle scosse.
Tutte queste combinazioni rendono il materiale insostituibile nella produzione dei prodotti resistenti alla corrosione, resistenti all'uso e termoresistenti per varie industrie.
Proprietà | Marca di materiale |
Composizione | SN |
Si3N4 | |
Densità, g/sm3 | 3,2-3,3 |
Porosità isolata, % | 0 |
Durezza, GPa | 13,5-14,0 |
Resistenza alla flessione, MPa | 280-310 |
Resistenza alla compressione, MPa | 3700-3900 |
Conducibilità termica a 20-100°С, W/mK | 20-30 |
Coefficiente di espansione termica lineare a 20-1000°С, 10-6 К-1 | 2,6-3,3 |
°С massimo di temperatura di funzionamento Ambiente ossidativo Riduzione o ambiente inerte |
1200 160 |
Il nitruro di silicio ha collegato i dati
Componente principale | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisico Proprietà |
Densità | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Assorbimento di acqua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura di sinterizzazione | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Meccanico Proprietà |
Durezza di Rockwell | Alta tensione | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Forza della curvatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensità di compressione | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termale Proprietà |
Funzionamento massimo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
espansione termica coefficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistenza di shock termico | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conducibilità termica | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elettrico Proprietà |
Tasso di resistenza di volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Ripartizione dell'isolamento Intensità |
KV/mm | 18 | semiconduttore | 9 | 17,7 | |
Costante dielettrica (1 megahertz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipazione dielettrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196