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Dettagli:
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Materiale: | Nitruro di silicio Si3n4 | Dimensione: | Su misura |
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colore: | Nero | caratteristiche: | alta durezza; alta resistenza della corrosione; densità bassa; stabilità in una vasta gamma di tempe |
Evidenziare: | Rotore di degassamento del CE Si3N4,rotore di degassamento nero del nitruro di silicio,Rotore di degassamento del nitruro di silicio del CE |
Per rimuovere l'idrogeno nel liquido di alluminio, un rotore vuoto del nitruro di silicio è utilizzato per alimentare l'azoto o l'argon ed il gas disperso è mescolato ad un'alta velocità per raggiungere la neutralizzazione e lo scarico di idrogeno.
Vantaggio:
Rispetto ai rotori della grafite, il nitruro di silicio non sarà ossidato negli ambienti ad alta temperatura, in modo da non inquinerà il liquido di alluminio ed ha un tempo di impiego più lungo;
La resistenza al calore del nitruro di silicio è alta, che assicura che il rotore funzioni uniformemente alle alte velocità.
Il nitruro di silicio ha collegato i dati
Componente principale | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisico Proprietà |
Densità | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Assorbimento di acqua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura di sinterizzazione | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Meccanico Proprietà |
Durezza di Rockwell | Alta tensione | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Forza della curvatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensità di compressione | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termale Proprietà |
Funzionamento massimo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
espansione termica coefficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistenza di shock termico | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conducibilità termica | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elettrico Proprietà |
Tasso di resistenza di volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Ripartizione dell'isolamento Intensità |
KV/mm | 18 | semiconduttore | 9 | 17,7 | |
Costante dielettrica (1 megahertz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipazione dielettrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196