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A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica

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A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica

A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica
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Grande immagine :  A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: ZG
Certificazione: CE
Numero di modello: Ms
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Prezzo: USD10/piece
Imballaggi particolari: Forte scatola di legno per trasporto globale
Tempi di consegna: 3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al mese

A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica

descrizione
Applicazione: Dispositivo a semiconduttore, microelettronica, sensore, pila solare, ottica di IR. Diametro: /Ø 4"/Ø DI Ø 2" 3"
Spessore: 500 um ~ 625 um Grado: Grado di elettronica
Evidenziare:

Wafer a 4 pollici di GE

,

Wafer a 2 pollici di GE

,

Wafer a 2 pollici del germanio

Wafer di GE ad industria di optoelettronica e di microelettronica nella gamma del diametro da a 2 pollici ad a 4 pollici

 

Siamo un fornitore mondiale del wafer di GE di monocristallo (wafer del germanio) e lingotto di GE di monocristallo, presentiamo un forte vantaggio nella fornitura del wafer di GE all'industria dell'optoelettronica e della microelettronica nella gamma del diametro da a 2 pollici ad a 4 pollici. Il wafer di GE è un elementare ed il materiale popolare a semiconduttore, dovuto le sue proprietà cristallografiche eccellenti e le proprietà elettriche uniche, wafer di GE widly è utilizzato in sensore, nella pila solare e nelle applicazioni infrarosse dell'ottica. Possiamo fornire i wafer pronti bassi di GE di epi e della dislocazione per soddisfare le vostre esigenze uniche del germanio. Il wafer di GE è prodotto secondo i SEMI. standard ed imballato in cassetta standard con chiuso sotto vuoto nell'ambiente della stanza pulita, con un sistema di buon controllo di qualità, siamo dedicati alla fornitura pulita ed ai prodotti del wafer di GE di alta qualità. Possiamo offrire sia il grado di elettronica che il wafer di GE del grado di IR, ci contatta prego per più informazioni di prodotto di GE

 

Singolo Crystal Germanium Wafer Capability

SWI può offrire sia il grado di elettronica che il wafer di GE del grado di IR ed il lingotto di GE, ci contattano prego per più informazioni di prodotto di GE.
 

Conducibilità Dopant Resistività
(ohm-cm)
Dimensione del wafer
Na Undoped >= 30 Fino a a 4 pollici
Tipo di N Sb 0,001 ~ 30 Fino a a 4 pollici
Tipo di P GA 0,001 ~ 30 Fino a a 4 pollici

Applicazioni:

Dispositivo a semiconduttore, microelettronica, sensore, pila solare, ottica di IR.

 

Proprietà del wafer di GE

 
Formula chimica GE
Sistema cristallino Cubico
Parametro della grata a=0.565754
Densità (g/cm3) 5,323
Conducibilità termica 59,9
Punto di fusione (°C) 937,4

 

Specificazione di prodotto

 
Crescita Czochralski
Diametro /Ø 4"/Ø DI Ø 2" 3"
Spessore 500 um ~ 625 um
Orientamento <100> / <111> / <110> o altri
Conducibilità P - tipo/N - tipo
Dopant Gallio/antimonio/Undoped
Resistività 0,001 ~ 30 ohm-cm
Superficie SSP/DSP
TTV <>
Arco/filo di ordito <>
Grado Grado di elettronica

 

A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica 0

Dettagli di contatto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona di contatto: Daniel

Telefono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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