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Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso

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Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso

Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso
Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso

Grande immagine :  Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: ZG
Certificazione: CE
Numero di modello: Ms
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Prezzo: USD10/piece
Imballaggi particolari: Forte scatola di legno per trasporto globale
Tempi di consegna: 3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al mese

Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso

descrizione
Applicazione: LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa) Diametro: Ø 2"
Spessore: 400 um Grado: Epi ha lucidato il grado/grado meccanico
Evidenziare:

Wafer di Gap del monocristallo

,

Singolo Crystal Gallium Phosphide

,

Wafer verde del LED Gap

Wafer di Gap del monocristallo (fosfuro del gallio), ampiamente usati come LED rosso, giallo e verde (diodi a emissione luminosa)

 

Forniamo il wafer di monocristallo Gap di alta qualità (fosfuro del gallio) all'industria elettronica ed optoelettronica di diametro fino a a 2 pollici. L'a cristallo del fosfuro del gallio (Gap) è un materiale semitraslucido giallo arancio costituito da due elementi, gallio e fosfuri, la crescita con il metodo incapsulato liquido di Czochralski (LEC). Il wafer di Gap è un materiale importante a semiconduttore che hanno proprietà elettriche uniche come altri materiali composti di III-V ed è ampiamente usato come LED rosso, giallo e verde (diodi a emissione luminosa). Abbiamo wafer come tagliato di monocristallo Gap per la vostra applicazione di LPE ed inoltre forniamo il wafer pronto di Gap del grado di epi per la vostra applicazione epitassiale di MBE & di MOCVD. Contattici prego per più informazioni di prodotto.

 

Wafer composto di III-V

Forniamo una vasta gamma di wafer composto compreso il wafer di GaAs, il wafer di Gap, il wafer di GaSb, il wafer di InAs ed il wafer del InP.

 

Elettrico e verniciando specificazione

 

Dopant disponibile S / Zn/Cr/Undoped
Tipo di conducibilità N / P, semiconduttrice/Semi-isolante
Concentrazione 1E17 - 2E18 cm-3
Mobilità > 100 cm2/v.s.

Specificazione di prodotto

 
Crescita LEC
Diametro Ø 2"
Spessore 400 um
Orientamento <100> / <111> / <110> o altri
Fuori dall'orientamento Fuori da 2° a 10°
Superficie Un lato ha lucidato o due lati lucidati
Opzioni piane EJ o SEMI. Campione.
TTV <>
EPD <>
Grado Epi ha lucidato il grado/grado meccanico
Pacchetto Singolo contenitore del wafer

Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso 0

Dettagli di contatto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona di contatto: Daniel

Telefono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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