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InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

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InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati
InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

Grande immagine :  InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: ZG
Certificazione: CE
Numero di modello: Ms
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Prezzo: USD10/piece
Imballaggi particolari: Forte scatola di legno per trasporto globale
Tempi di consegna: 3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al mese
Contatto

InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

descrizione
Applicazione: LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa) Diametro: /Ø 3" DI Ø 2"
Spessore: 500 um ~ 625 um Grado: Epi ha lucidato il grado/grado meccanico
Evidenziare:

InAs Wafer Indium Arsenide

,

InAs Wafer a 2 pollici

,

Arseniuro a 2 pollici dell'indio

Wafer di InAs (arseniuro dell'indio)

Forniamo il wafer di InAs (arseniuro dell'indio) all'industria dell'optoelettronica di diametro fino a a 2 pollici. L'a cristallo di InAs è un composto costituito da 6N puro in e come elemento e si sviluppa con il metodo incapsulato liquido di Czochralski (LEC) con EPD < 15000="" cm="" -3="">

Wafer composto di III-V

Forniamo una vasta gamma di wafer composto compreso il wafer di GaAs, il wafer di Gap, il wafer di GaSb, il wafer di InAs ed il wafer del InP.

Elettrico e verniciando specificazione

Dopant disponibile S / Zn/Undoped
Tipo di conducibilità N / P
Concentrazione 1E17 - 5E18 cm-3
Mobilità 100 ~ 25000 cm2/v.s.

Specificazione di prodotto

Crescita LEC
Diametro /Ø 3" DI Ø 2"
Spessore 500 um ~ 625 um
Orientamento <100> / <111> / <110> o altri
Fuori dall'orientamento Fuori da 2° a 10°
Superficie Un lato ha lucidato o due lati lucidati
Opzioni piane EJ o SEMI. Campione.
TTV <>
EPD <>
Grado Epi ha lucidato il grado/grado meccanico
Pacchetto Singolo contenitore del wafer

InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati 0

Prodotto Tag:

Crogiolo ceramico dell'allumina SiO2,

Crogiolo ceramico di fusione di vetro dell'allumina,

Ceramica Al2O3 di elevata purezza 99%

Dettagli di contatto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona di contatto: Daniel

Telefono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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