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Dettagli:
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Applicazione: | LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa) | Diametro: | /Ø 3" DI Ø 2" |
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Spessore: | 500 um ~ 625 um | Grado: | Epi ha lucidato il grado/grado meccanico |
Evidenziare: | InAs Wafer Indium Arsenide,InAs Wafer a 2 pollici,Arseniuro a 2 pollici dell'indio |
Wafer di InAs (arseniuro dell'indio)
Forniamo il wafer di InAs (arseniuro dell'indio) all'industria dell'optoelettronica di diametro fino a a 2 pollici. L'a cristallo di InAs è un composto costituito da 6N puro in e come elemento e si sviluppa con il metodo incapsulato liquido di Czochralski (LEC) con EPD < 15000="" cm="" -3="">
Wafer composto di III-V
Forniamo una vasta gamma di wafer composto compreso il wafer di GaAs, il wafer di Gap, il wafer di GaSb, il wafer di InAs ed il wafer del InP.
Elettrico e verniciando specificazione
Specificazione di prodotto
Crescita | LEC |
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Diametro | /Ø 3" DI Ø 2" |
Spessore | 500 um ~ 625 um |
Orientamento | <100> / <111> / <110> o altri |
Fuori dall'orientamento | Fuori da 2° a 10° |
Superficie | Un lato ha lucidato o due lati lucidati |
Opzioni piane | EJ o SEMI. Campione. |
TTV | <> |
EPD | <> |
Grado | Epi ha lucidato il grado/grado meccanico |
Pacchetto | Singolo contenitore del wafer |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196