Dettagli:
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Applicazione: | LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa) | Diametro: | /Ø 3" DI Ø 2" |
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Spessore: | 500 um ~ 625 um | Grado: | Epi ha lucidato il grado/grado meccanico |
Evidenziare: | Wafer ceramico tecnico del InP delle parti,Wafer meccanico del InP del grado,Fosfuro di indio del wafer del InP |
Wafer del InP (fosfuro di indio)
Forniamo il wafer del InP di monocristallo di alta qualità (fosfuro di indio) all'industria microelettronica (HEMT di HBT/) ed optoelettronica (LED/DWDM/PIN/VCSELs) di diametro fino a a 3 pollici. L'a cristallo del fosfuro di indio (InP) è costituito da due elementi, indio e fosfuri, la crescita con il metodo incapsulato liquido di Czochralski (LEC) o il metodo di VGF. Il wafer del InP è un materiale importante a semiconduttore che hanno proprietà elettriche e termiche superiori, confrontato alla lastra di silicio ed il wafer di GaAs, wafer del InP ha il più alta mobilità di elettrone, il più alta frequenza, il basso consumo energetico, il più alta conducibilità termica e prestazione a basso rumore. Possiamo fornire il wafer pronto del InP del grado di epi per la vostra applicazione epitassiale di MBE & di MOCVD. Contattici prego per più informazioni di prodotto.
Wafer composto di III-V
Forniamo una vasta gamma di wafer composto compreso il wafer di GaAs, il wafer di Gap, il wafer di GaSb, il wafer di InAs ed il wafer del InP.
Elettrico e verniciando specificazione
Specificazione di prodotto
Crescita | LEC/VGF |
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Diametro | /Ø 4"/Ø DI Ø 2" 3" |
Spessore | 350 um ~ 625 um |
Orientamento | <100> / <111> / <110> o altri |
Fuori dall'orientamento | Fuori da 2° a 10° |
Superficie | Un lato ha lucidato o due lati lucidati |
Opzioni piane | EJ o SEMI. Campione. |
TTV | <> |
Arco/filo di ordito | <> |
Grado | Epi ha lucidato il grado/grado meccanico |
Pacchetto | Singolo contenitore del wafer |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196