wafer di CdSe CdTe ZnS ZnSe dei CD del wafer di 350um ZnO e wafer di ZnTe

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Forniamo il wafer di monocristallo ZnO di elevata purezza e la massa di ZnO per il dispositivo di potere, le applicazioni del LED, del sensore e del rivelatore. Con un sistema cristallino ideale, il wafer di ZnO (ossido di zinco) ha un disadattamento della grata di 2% a GaN, quello è molto di meno che il disadattamento della grata del wafer dello zaffiro e sic del wafer. Il wafer di ZnO è uno del substrato più adatto per usando come la crescita epitassiale di GaN ed ampia applicazione a semiconduttore di intervallo di banda. Il wafer di ZnO è fornito nella forma quadrata, undoped, dimensioni 10 x 10 x 0,5 millimetri, i doppi lati hanno lucidato la finitura superficia ed orientato, il nostro wafer di ZnO di alta qualità è stato ampiamente usato per la crescita di

dispositivi della base del nitruro. Contattici prego per più informazioni di prodotto.

Applicazione del wafer di ZnO