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Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile

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Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile

Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile
Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile

Grande immagine :  Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile

Dettagli:
Luogo di origine: La Cina
Marca: ZG
Certificazione: CE
Numero di modello: Ms
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 pezzo
Prezzo: USD10/piece
Imballaggi particolari: Forte scatola di legno per trasporto globale
Tempi di consegna: 3 giorni lavorativi
Termini di pagamento: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacità di alimentazione: 10000 pezzi al mese

Wafer del MgO di metodo di fusione di arco per l'alto TC superconduttore ferroelettrico del film sottile

descrizione
Applicazione: Alto superconduttore di TC Dispositivo di optoelettronica del dispositivo di microelettronica Dispos Diametro: /Ø 2" DI Ø 1"
Spessore: 0,5 millimetri/1 millimetro Grado: Grado di produzione/grado di ricerca
Evidenziare:

Si arca il wafer del MgO di fusione

,

Wafer del MgO per ferroelettrico

,

Wafer del MgO per il superconduttore

 

Wafer del MgO prodotto con il metodo di fusione di arco per la fabbricazione del film sottile ferroelettrico, alto superconduttore di TC

 

Forniamo il wafer del MgO di monocristallo di alta qualità prodotto con il metodo di fusione di arco per la fabbricazione del film sottile ferroelettrico, alto superconduttore di TC come pure per le applicazioni dell'optoelettronica di diametro massimo fino a a 2 pollici. Il wafer del MgO può essere fabbricato nel giro o la forma quadrata, con un piano dei SEMI o senza piano, un lato lucidato o due lati lucidati, dimensione da 10 x10 millimetro a 2", gamma di spessore da 0,4, 0,5, 1 - 2 millimetri, superficie è epi lucidato con la rugosità di superficie bassa. Abbiamo libero gemellato ed il substrato senza difetti del MgO con il vario orientamento <100> <110> ed <111> e la finitura di superficie di alta precisione, ci contatta prego per più informazioni di prodotto.

 

Applicazione del wafer del MgO

 

Alto superconduttore di TC Dispositivo di microelettronica
Dispositivo di optoelettronica Dispositivo di a microonde

 

Proprietà del wafer del MgO

 

Formula chimica MgO
Sistema cristallino Cubico
Ingraticci costante 4,212 A
Costante dielettrica 9,8
Espansione termica 12,8
Densità 3,58

Specificazione di prodotto

 

Crescita Fusione dell'arco
Diametro /Ø 2" DI Ø 1"
Dimensione 10 x 10/20 x 20/30 x 30/40 x 40 millimetri
Spessore 0,5 millimetri/1 millimetro
Orientamento <100> / <110> / <111>
Superficie un lato lucidato/due lati lucidati
TTV <>
Rugosità Ra <>
Pacchetto Singolo contenitore del wafer
 

Dettagli di contatto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona di contatto: Daniel

Telefono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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