Dettagli:
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Applicazione: | onda acustica di superficie (dispositivo della SEGA), risuonatore, filtri da a microonde, sensore di | Diametro: | /Ø 6"/Ø/Ø/Ø DI Ø 1" 2" 3" 4" |
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Spessore: | 0,4 millimetri/0,5 millimetri/0,7 millimetri/1,1 millimetri | Grado: | Grado della SEGA e grado ottico |
Evidenziare: | 1.1mm singolo Crystal Quartz Wafer,0.7mm singolo Crystal Quartz Wafer,Grado singolo Crystal Quartz Wafer della SEGA |
wafer del quarzo di monocristallo di alta qualità compreso il grado della SEGA ed il grado ottico
Forniamo il wafer del quarzo di monocristallo di alta qualità compreso il grado della SEGA ed il grado ottico. Possiamo offrire le varie opzioni di orientamento compreso il taglio di X, Y ha tagliato, la Z ha tagliato, al taglio e la st ha tagliato per le vostre applicazioni uniche al prezzo ragionevole. Il wafer del quarzo di monocristallo ha molte caratteristiche uniche quale la proprietà piezoelettrica, buona proprietà ottica e l'alta trasmissione ottica, questi dispositivi speciali rende il wafer del quarzo di monocristallo (cristallo di quarzo sintetico) adatto ad onda acustica di superficie (dispositivo della SEGA), a risuonatore, a filtri da a microonde, a sensore di pressione e ad applicazione piezoelettrici di MEMS. Il wafer del quarzo di monocristallo può essere fabbricato in rotondo o la forma quadrata, con un piano dei SEMI o senza piano, un lato lucidato o due lati lucidati, dimensione da 1" a 4", gamma di spessore da 0,4, 0,5, 0,7, 1,1 - 3 millimetri, pulizia ultrasonica e pacchetto compatibile della cassetta del wafer del locale senza polvere è inoltre disponibile. Ulteriormente, offriamo le specifiche su ordinazione progettate ai vostri bisogni unici che includono, la dimensione, SEMI. appartamenti standard, rugosità di superficie, profilo del bordo, spessore, planarità, qualità di superficie, metodo del pacchetto di pulizia. Abbiamo wafer del quarzo di monocristallo in macchina della latta e delle azione alla vostra specificazione con finitura di superficie di alta precisione. Contattici prego per ulteriori informazioni di prodotto.
Formula chimica | SiO2 |
Metodo di crescita | Idrotermale |
Sistema cristallino | Esagonale |
Ingraticci costante | a=4.9 A, C=5.4 A |
Valore di Q | 1,8 x 10 6 min. |
Inclusione | Grado II di IEC |
Grado | Grado della SEGA, grado ottico |
Proprietà meccaniche | |
Densità | 2,67 g/cm3 |
Il rapporto di Poisson | Na |
Modulo di Young | 97,2 Gpa Gpa/76,5 |
La durezza di Moh | 7 |
Proprietà termiche | |
Punto della colata | °C 1620 |
Calore specifico | 0,18 calorie/gm |
Conducibilità termica | 0,0033 calorie/cm/°C |
Coefficiente di espansione termica | 13,71 ×10 - 6 K-1 |
Proprietà elettriche | |
Resistività (ohm-cm) | °C di 8@250/°C di 6.5@350 |
Tangente di perdita | 37 x 10-4 |
Costante dielettrica e | 4,6 |
Proprietà ottiche | |
Indice di rifrazione (@ 589 nanometro) | ND =1.544 |
Diametro | /Ø 6"/Ø/Ø/Ø DI Ø 1" 2" 3" 4" |
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Dimensione quadrata | 10 x 10/20 x 20/50 x 50/100 x 100 millimetri |
Spessore | 0,4 millimetri/0,5 millimetri/0,7 millimetri/1,1 millimetri |
Taglio di angolo | X il taglio taglia/Z taglia/YX taglia/Y |
36° tagliato/taglio 42.75° della st | |
Superficie | un lato lucidato/due lati lucidati |
Piano | Piano o tacca di SEMI.Std. |
TTV | <> |
Rugosità | Ra <> |
Qualità di superficie | 60 / 40 |
Pacchetto | Cassetta/barattolo di Ampak |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196