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Dettagli:
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| Applicazione: | film sottile e film spesso microelettronico, alto potere e circuito ad alta frequenza rf/componenti | Diametro: | /Ø 4"/Ø/Ø DI Ø 1" 2" 3" |
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| Spessore: | 0,4 millimetri/0,5 millimetri/1 millimetro | Grado: | Grado della SEGA e grado ottico |
| Evidenziare: | Wafer ceramico del substrato Al2O3,Substrato ceramico di resistenza al calore Al2O3,Substrato ceramico dell'allumina di resistenza all'abrasione |
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wafer ceramico dei substrati dell'allumina (Al2O3), resistenza al calore eccellente, alta forza mechnical, resistenza all'abrasione
Forniamo i substrati ceramici dell'allumina (Al2O3). Il substrato Al2O3 è uno del substrato ceramico più popolare che ha la resistenza al calore eccellente, l'alta forza mechnical, la resistenza all'abrasione e piccola perdita dielettrica. La superficie del substrato dell'allumina è abbastanza regolare e la porosità bassa, substrato dell'allumina 99,6% è adatta a dispositivo del film sottile, substrato dell'allumina di 96% è adatta ad applicazione del dispositivo del film spesso. forniamo i substrati ceramici dell'allumina per una vasta gamma di applicazioni, compreso il film sottile ed il film spesso microelettronico, l'alto potere ed il circuito ad alta frequenza rf/componenti di microonda ed il condensatore o la resistenza, ci contattano per informazioni di prodotto più ceramiche del wafer.
| Formula chimica | Al2O3 |
| Colore | bianco |
| Densità | 3,72 g/cm 3 |
| Conducibilità termica | 22,3 W/m. K |
| Espansione termica (x10 -6/℃) | 8 |
| Resistenza dielettrica | 14E6 |
| Costante dielettrica (a 1MHZ) | 9,5 |
| Tangente di perdita (x10 -4 @1MHZ) | 3 |
| Resistività di volume | >1E14 ohm-cm |
| Diametro | /Ø 4"/Ø/Ø DI Ø 1" 2" 3" |
|---|---|
| Dimensione quadrata | 10 x 10/20 x 20/50 x 50/100 x 100 millimetri |
| Spessore | 0,4 millimetri/0,5 millimetri/1 millimetro |
| Superficie | Come infornato |
| un lato lucidato/due lati lucidati | |
| Rugosità | Ra <> |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196