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Dettagli:
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Materiale: | Nitruro di silicio Si3N4 | Dimensione: | Su misura |
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Colore: | Nero | CARATTERISTICHE: | alta durezza; alta resistenza della corrosione; densità bassa; stabilità in una vasta gamma di tempe |
Evidenziare: | Metropolitana della colonna montante del nitruro di silicio,Nitruro di silicio Si3N4,Metropolitana della colonna montante Si3N4 |
Vantaggi:
dovuto l'alta densità con porosità bassa, la stabilità ad alta temperatura, la resistenza eccellente a shock termico e la resistenza della corrosione eccellente, materiale del nitruro di silicio ha prospettive molto vaste di un'applicazione nell'industria della fusion d'alluminio sulle parti dell'attrezzatura. Attualmente, la nostra società ha sviluppato la serie andproduced di prodotti ceramici del nitruro di silicio di rendimento elevato per l'industria della fusion d'alluminio per mezzo, compresi del tubo della colonna montante del nitruro di silicio, del tubo della protezione del radiatore del nitruro di silicio, albero rotante, tubo della protezione del nitruro di silicio e del rotore per la termocoppia, ecc…
Il nitruro di silicio ha collegato i dati
Componente principale | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisico Proprietà |
Densità | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Assorbimento di acqua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura di sinterizzazione | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Meccanico Proprietà |
Durezza di Rockwell | Alta tensione | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Forza della curvatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensità di compressione | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termale Proprietà |
Funzionamento massimo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
espansione termica coefficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistenza di shock termico | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conducibilità termica | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elettrico Proprietà |
Tasso di resistenza di volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Ripartizione dell'isolamento Intensità |
KV/mm | 18 | semiconduttore | 9 | 17,7 | |
Costante dielettrica (1 megahertz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipazione dielettrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196