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Ceramica trasparente fragile con elevata fragilità e bassa espansione termica per applicazioni nei semiconduttori

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Ceramica trasparente fragile con elevata fragilità e bassa espansione termica per applicazioni nei semiconduttori

Ceramica trasparente fragile con elevata fragilità e bassa espansione termica per applicazioni nei semiconduttori
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Grande immagine :  Ceramica trasparente fragile con elevata fragilità e bassa espansione termica per applicazioni nei semiconduttori

Dettagli:
Luogo di origine: Cina
Marca: ZG
Certificazione: CE
Numero di modello: SM
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1 pz
Prezzo: 10USD/PC
Imballaggi particolari: forte scatola di legno
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T,Western Union,MoneyGram
Capacità di alimentazione: 1000 pezzi

Ceramica trasparente fragile con elevata fragilità e bassa espansione termica per applicazioni nei semiconduttori

descrizione
Evidenziare:

Ceramica trasparente ad alta fragilità

,

Ceramica fragile a bassa espansione termica

,

Ceramica tecnica di grado semiconduttore

Ceramica trasparente e fragile
Il vetro al quarzo, il vetro microcristallino, lo zaffiro e altri materiali trasparenti sono caratterizzati da un'elevata fragilità e durezza.ZG ha condotto una vasta ricerca sulla lavorazione di questi materiali avanzati e attualmente fornisce prodotti per semiconduttoriOffriamo diversi materiali tra cui vetro ad alto borosilicato, vetro microcristallino ad ultra bassa espansione e zaffiro per applicazioni nelle finestre a semiconduttori,strumenti di misurazione di precisione, telescopi spaziali, reattori a microcanale e altri usi specializzati.
ZERODUR Vitro-ceramica a bassa espansione termica
Caratteristiche fisiche ZERODUR ZERODUR K20
Densità (g/cm3) 2.53 2.53
Rapporto di Poisson 0.24 0.25
Durezza del nodo HK 0,1/20 (ISO 9385) 620 620
Indice di rifrazione 1.5424 -
Abbey Numbers vd 56.1 -
Conduttività termica (W/m·K) 1.46 1.63
Coefficiente di diffusione termica a 20°C (10-6m2/s) 0.72 -
Calore specifico a 20°C (J/g·K) 0.80 0.90
Media del modulo E di Young (GPa) a 20°C 90.3 84.7
Trasmittanza interna Ti con spessore di 580 nm/5 mm 0.95 -
Trasmittanza interna Ti con spessore di 580 nm/10 mm 0.9 -
Coefficiente ottico di sollecitazione K (λ=589.3nm, 10−6MPa−1) 3 -
Resistenza elettrica ρ (Ω·cm) a 20 °C 2.6×1013 -
Tk100°C, ρ=108 (Ω·cm) umidità 178 -
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Dettagli di contatto
HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Persona di contatto: Daniel

Telefono: 18003718225

Fax: 86-0371-6572-0196

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