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Dispositivo optoelettronica Wafer SiC per diodi emettitori di luce

rivestimenti ceramici industriali 3.9g/Cm3

Ruote di classificazione ceramiche tecniche del CE

Cina Parti ceramiche tecniche

Piastrina ceramica chimica fine dello scambiatore di calore del carburo di silicio delle parti di industriale

applicazione:industria chimica fine, industria farmaceutica, ingegneria di protezione dell'ambiente

dimensione:il diametro massimo del blocchetto del pacco di tubo può raggiungere 200mm e l'altezza può essere 50

Materiale:carburo di silicio
Polvere 1036-38-3 dell'ossido del cerio di Ceria nella fabbricazione del catalizzatore e della ceramica di vetro

Applicazione:agenti di precipitazione e decoloring di lucidatura di vetro dei composti, ed anche utilizzato in ce

CAS No.:1036-38-3

Materiale:CeO2
Strato dielettrico eccellente dell'più alto di uniformità wafer termico dell'ossido come isolante

Applicazione:circuiti integrati, dispositivo sensore/del rivelatore, montaggio di MEMS, componenti optoelettronic

Diametro:/Ø 12"/Ø/Ø/Ø/Ø DI Ø 2" 3" 4" 6" 8"

Spessore dell'ossido:100 A ~ 6 um
2um - silicio ceramico tecnico delle parti 300um sull'isolante SOI Wafer

Applicazione:circuiti integrati, dispositivo sensore/del rivelatore, montaggio di MEMS, componenti optoelettronic

Diametro:/Ø 8"/Ø DI Ø 4" 6"

Spessore del dispositivo:2 um ~ 300 um
A 2 pollici al wafer a 4 pollici di GE a micro elettronica e ad opto industria elettronica

Applicazione:Dispositivo a semiconduttore, microelettronica, sensore, pila solare, ottica di IR.

Diametro:/Ø 4"/Ø DI Ø 2" 3"

Spessore:500 um ~ 625 um
Singolo arsenuro di gallio del wafer di Crystal Polycrystalline GaAs per il circuito di a microonde di LD LED

Applicazione:fare LD, LED, il circuito di a microonde e le domande della pila solare

Diametro:/Ø 4"/Ø DI Ø 2" 3"

Spessore:350 um ~ 625 um
Fosfuro del gallio del wafer di Gap del monocristallo come LED giallo e verde rosso

Applicazione:LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa)

Diametro:Ø 2"

Spessore:400 um
Antimoniuro di gallio ceramico tecnico a 3 pollici del wafer di GaSb delle parti 625um

Applicazione:LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa)

Diametro:/Ø 3" DI Ø 2"

Spessore:500 um ~ 625 um
InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

Applicazione:LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa)

Diametro:/Ø 3" DI Ø 2"

Spessore:500 um ~ 625 um
Fosfuro di indio ceramico tecnico del wafer del InP delle parti del grado meccanico

Applicazione:LED rossi, gialli e verdi (diodi a emissione luminosa)

Diametro:/Ø 3" DI Ø 2"

Spessore:500 um ~ 625 um
500Um a 625Um GaAs ha basato il grado meccanico del grado lucidato wafer di Epi

Applicazione:microelettronica, optoelettronica e microonda di rf

Diametro:/Ø 4" di Ø 3" wafer di GaAs

Spessore:500 um ~ 625 um
Il InP ceramico tecnico a 4 pollici a 3 pollici delle parti del diametro ha basato il wafer di Epi

Applicazione:microelettronica, optoelettronica e microonda di rf

Diametro:/Ø 4" di Ø 3" wafer di GaAs

Spessore:500 um ~ 625 um

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InAs Wafer Indium Arsenide a 2 pollici una/due lati lucidati

Fosfuro di indio ceramico tecnico del wafer del InP delle parti del grado meccanico

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