Dettagli:
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Materiale: | Nitruro di silicio Si3n4 | dimensione: | Su misura |
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Colore: | Nero | Caratteristiche: | alta durezza; alta resistenza della corrosione; densità bassa; stabilità in una vasta gamma di tempe |
Evidenziare: | 3.2g/Cm3 lavare di densità Si3N4,3.2g/Cm3 lavare di densità Si3N4,Lavare del nitruro di silicio resistente alla corrosione |
I materiali ceramici ad alto rendimento del nitruro di silicio sviluppati per l'industria della lavorazione dell'alluminio ha migliorato significativamente le proprietà termiche e meccaniche che i simili prodotti. Su questa base, «l'alto «apparecchio di riscaldamento sommerso a forma di L» della conducibilità termica porterà il progresso rivoluzionario ad attrezzatura industriale di alluminio.
Del il lavare foderato di nitruro del silicio pionieristico a «da silicio poli» risolve le difficoltà che sono state lavoratori contagiati nell'industria della lavorazione dell'alluminio. Il rivestimento del nitruro di silicio non attacca all'acqua di alluminio, in modo dal lavare quasi non deve essere pulito, che notevolmente riduce l'intensità di lavoro dei lavoratori;
Vantaggio:
Rispetto al lavare materiale fondente, il tempo di impiego notevolmente è esteso.
Il lavare non deve essere spruzzato con il rivestimento del anti-bastone, che assicura la purezza di alluminio fuso;
Il nitruro di silicio ha collegato i dati
Componente principale | 99%Al2O3 | S-SIC | ZrO2 | Si3N4 | ||
Fisico Proprietà |
Densità | g/cm3 | 3,9 | 3,1 | 6 | 3,2 |
Assorbimento di acqua | % | 0 | 0,1 | 0 | 0,1 | |
Temperatura di sinterizzazione | °C | 1700 | 2200 | 1500 | 1800 | |
Meccanico Proprietà |
Durezza di Rockwell | Alta tensione | 1700 | 2200 | 1300 | 1400 |
Forza della curvatura | kgf/mm2 | 3500 | 4000 | 9000 | 7000 | |
Intensità di compressione | Kgf/mm2 | 30000 | 20000 | 20000 | 23000 | |
Termale Proprietà |
Funzionamento massimo temperatura |
°C | 1500 | 1600 | 1300 | 1400 |
espansione termica coefficiente 0-1000°C |
/°C | 8.0*10-6 | 4.1*10-6 (0-500°C) | 9.5*10-6 | 2.0*10-6 (0-500°C) | |
5.2*10-6 (500-1000°C) | 4.0*10-6 (500-1000°C) | |||||
Resistenza di shock termico | T (°C) | 200 | 250 | 300 | 400-500 | |
Conducibilità termica | W/m.k (25°C | 31 | 100 | 3 | 25 | |
300°C) | 16 | 100 | 3 | 25 | ||
Elettrico Proprietà |
Tasso di resistenza di volume | ◎.cm | ||||
20°C | >1012 | 106-108 | >1010 | >1011 | ||
100°C | 1012-1013 | – | – | >1011 | ||
300°C | >1012 | – | – | >1011 | ||
Ripartizione dell'isolamento Intensità |
KV/mm | 18 | semiconduttore | 9 | 17,7 | |
Costante dielettrica (1 megahertz) | (E) | 10 | – | 29 | 7 | |
Dissipazione dielettrica | (tg o) | 0.4*10-3 | – | – | – |
Persona di contatto: Daniel
Telefono: 18003718225
Fax: 86-0371-6572-0196